|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 2 van 23 gevonden artikelen
| Titel: |
Analytical model development of channel potential, electric field, threshold voltage and drain current for gate workfunction engineered short channel E-mode N-polar GaN MOS-HEMT |
| Auteur: |
Panda, D. K. Lenka, T. R. |
| Verschenen in: |
Microsystem technologies |
| Paginering: | Jaargang 28 () nr. 3 pagina's 675-682 |
| Jaar: |
2019-01-24 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer Berlin Heidelberg, Berlin/Heidelberg |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 2 van 23 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |