|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 10 van 20 gevonden artikelen
| Titel: |
Extraction of admittance parameters of symmetrically doped AlGaN/GaN/AlGaN DH-HEMT for microwave frequency applications |
| Auteur: |
Chugh, Nisha Kumar, Manoj Bhattacharya, Monika Gupta, R. S. |
| Verschenen in: |
Microsystem technologies |
| Paginering: | Jaargang 27 () nr. 11 pagina's 4065-4072 |
| Jaar: |
2020-03-17 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer Berlin Heidelberg, Berlin/Heidelberg |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 10 van 20 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |