|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 13 van 35 gevonden artikelen
| Titel: |
Effect of 3 nm gate length scaling in junctionless double surrounding gate SiNT MOSFET by using triple material gate engineering |
| Auteur: |
Sanjay, Prasad, B. Vohra, Anil |
| Verschenen in: |
Microsystem technologies |
| Paginering: | Jaargang 27 () nr. 10 pagina's 3869-3874 |
| Jaar: |
2021-01-20 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer Berlin Heidelberg, Berlin/Heidelberg |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 13 van 35 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |