|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 24 van 64 gevonden artikelen
| Titel: |
Development of noise model for InAsSb MOSFETs and their application in low noise amplifiers |
| Auteur: |
Bhattacherjee, Swagata Biswas, Abhijit |
| Verschenen in: |
Microsystem technologies |
| Paginering: | Jaargang 25 (2017) nr. 5 pagina's 1555-1562 |
| Jaar: |
2017 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer Berlin Heidelberg, Berlin/Heidelberg |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 24 van 64 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |