|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 25 gevonden artikelen
| Titel: |
Comparison between Si/SiO2 and InP/Al2O3 based MOSFETs |
| Auteur: |
Akbari Tochaei, A. Arabshahi, H. Benam, M. R. Vatan-Khahan, A. Abedininia, M. |
| Verschenen in: |
Journal of experimental and theoretical physics |
| Paginering: | Jaargang 123 (2016) nr. 5 pagina's 869-874 |
| Jaar: |
2016 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Pleiades Publishing, Moscow |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 25 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |