|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 12 van 18 gevonden artikelen
| Titel: |
Modification of the electronic structure and formation of an accumulation layer in ultrathin Ba/n-GaN and Ba/n-AlGaN interfaces |
| Auteur: |
Benemanskaya, G. V. Timoshnev, S. N. Ivanov, S. V. Frank-Kamenetskaya, G. E. Marchenko, D. E. Iluridze, G. N. |
| Verschenen in: |
Journal of experimental and theoretical physics |
| Paginering: | Jaargang 118 (2014) nr. 4 pagina's 600-610 |
| Jaar: |
2014 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Pleiades Publishing, Moscow |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 12 van 18 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |