|
| volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 1 van 19 gevonden artikelen
| Titel: |
Conductance anisotropy of δ-Si doped GaAs layers grown by molecular beam epitaxy on (111)A GaAs substrates and misoriented in the $$[2\bar 1\bar 1]$$ direction |
| Auteur: |
Galiev, G. B. Mokerov, V. G. Kul’bachinskii, V. A. Kytin, V. G. Lunin, R. A. Derkach, A. V. Vasil’evskii, I. S. |
| Verschenen in: |
Doklady physics |
| Paginering: | Jaargang 47 (2002) nr. 6 pagina's 419-421 |
| Jaar: |
2002 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Nauka/Interperiodica, Moscow |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 1 van 19 gevonden artikelen
| volgende >> |