|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 28 gevonden artikelen
| Titel: |
Application of Empirical Si–O–C Potential to Simulate Amorphous Atomic Structures and Transition Layers by the Bond Switching Method |
| Auteur: |
Belov, I. V. |
| Verschenen in: |
Crystallography reports |
| Paginering: | Jaargang 64 (2019) nr. 4 pagina's 662-668 |
| Jaar: |
2019 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Pleiades Publishing, Moscow |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 28 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |