|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 31 van 62 gevonden artikelen
| Titel: |
Mechanism of formation of GaN buffer layers on sapphire by chemical-vapor epitaxy |
| Auteur: |
Vigdorovich, E. N. |
| Verschenen in: |
Crystallography reports |
| Paginering: | Jaargang 50 (2005) nr. 1 pagina's S145-S148 |
| Jaar: |
2005 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Nauka/Interperiodica, Moscow |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 31 van 62 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |