|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 7 van 46 gevonden artikelen
| Titel: |
Comparative Study of HfTa-based gate-dielectric Ge metal–oxide–semiconductor capacitors with and without AlON interlayer |
| Auteur: |
Xu, J. P. Zhang, X. F. Li, C. X. Chan, C. L. Lai, P. T. |
| Verschenen in: |
Applied physics. Part A, Materials science and processing |
| Paginering: | Jaargang 99 (2009) nr. 1 pagina's 177-180 |
| Jaar: |
2009 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer-Verlag, Berlin/Heidelberg |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 7 van 46 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |