|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 5 van 32 gevonden artikelen
| Titel: |
Charge storage characteristics in Al/AlN/Si metal–insulator–semiconductor structure based on deep traps in AlN layer |
| Auteur: |
Kong, Y.C. Hu, L.Q. Zheng, Y.D. Zhou, C.H. Chen, C. Gu, S.L. Zhang, R. Han, P. Jiang, R.L. Shi, Y. |
| Verschenen in: |
Applied physics. Part A, Materials science and processing |
| Paginering: | Jaargang 90 (2007) nr. 3 pagina's 545-548 |
| Jaar: |
2007 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer-Verlag, Berlin/Heidelberg |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 5 van 32 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |