|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 109 van 120 gevonden artikelen
| Titel: |
The n-type Gd-doped HfO2 to silicon heterojunction diode |
| Auteur: |
Ketsman, I. Losovyj, Y.B. Sokolov, A. Tang, J. Wang, Z. Belashchenko, K.D. Dowben, P.A. |
| Verschenen in: |
Applied physics. Part A, Materials science and processing |
| Paginering: | Jaargang 89 (2007) nr. 2 pagina's 489-492 |
| Jaar: |
2007 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer-Verlag, Berlin/Heidelberg |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 109 van 120 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |