|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 42 van 76 gevonden artikelen
| Titel: |
Impact of barrier layer thickness on DC and RF performance of AlGaN/GaN high electron mobility transistors |
| Auteur: |
Anand, Anupama Sehra, Khushwant Chanchal, Reeta, Narang, Rakhi Rawal, D. S. Mishra, M. Saxena, Manoj Gupta, Mridula |
| Verschenen in: |
Applied physics. Part A, Materials science and processing |
| Paginering: | Jaargang 129 () nr. 8 pagina's xx |
| Jaar: |
2023-07-19 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer Berlin Heidelberg, Berlin/Heidelberg |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 42 van 76 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |