|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 30 van 67 gevonden artikelen
| Titel: |
High rectification efficiency direct bandgap GePb quantum well trench N-MOSFET for 2.45G weak energy microwave wireless transmission |
| Auteur: |
Sun, WenJie Song, JianJun Zhang, Zhe Bi, SiHan |
| Verschenen in: |
Applied physics. Part A, Materials science and processing |
| Paginering: | Jaargang 129 () nr. 7 pagina's xx |
| Jaar: |
2023-06-03 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer Berlin Heidelberg, Berlin/Heidelberg |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 30 van 67 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |