|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 30 van 76 gevonden artikelen
| Titel: |
Hafnium based high-k dielectric gate-stacked (GS) gate material engineered (GME) junctionless nanotube MOSFET for digital applications |
| Auteur: |
Kumar, Raj Kumar, Arvind |
| Verschenen in: |
Applied physics. Part A, Materials science and processing |
| Paginering: | Jaargang 127 () nr. 1 pagina's xx |
| Jaar: |
2021-01-03 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer Berlin Heidelberg, Berlin/Heidelberg |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 30 van 76 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |