|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 47 van 79 gevonden artikelen
| Titel: |
Measurement of ionization rate of charge carriers and breakdown characteristics of CVD-grown 4H-SiC diodes under steady magnetic field |
| Auteur: |
Mukherjee, P. Hossain, S. K. R. Acharyya, A. Biswas, A. |
| Verschenen in: |
Applied physics. Part A, Materials science and processing |
| Paginering: | Jaargang 126 () nr. 2 pagina's xx |
| Jaar: |
2020-01-25 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer Berlin Heidelberg, Berlin/Heidelberg |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 47 van 79 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |