|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 4 van 93 gevonden artikelen
| Titel: |
Analysis of 4H-SiC MOSFET with distinct high-k/4H-SiC interfaces under high temperature and carrier-trapping conditions |
| Auteur: |
Bencherif, H. Pezzimenti, F. Dehimi, L. Della Corte, F. G. |
| Verschenen in: |
Applied physics. Part A, Materials science and processing |
| Paginering: | Jaargang 126 () nr. 11 pagina's xx |
| Jaar: |
2020-10-13 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer Berlin Heidelberg, Berlin/Heidelberg |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 4 van 93 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |