|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 43 van 96 gevonden artikelen
| Titel: |
Impact of indium mole fraction on the quantum transport of ultra-scaled InxGa1–xAs double-gate Schottky MOSFET: tight-binding approach |
| Auteur: |
Ahangari, Zahra |
| Verschenen in: |
Applied physics. Part A, Materials science and processing |
| Paginering: | Jaargang 122 (2016) nr. 2 pagina's 1-7 |
| Jaar: |
2016 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer Berlin Heidelberg, Berlin/Heidelberg |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 43 van 96 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |