|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 34 van 49 gevonden artikelen
| Titel: |
Numerical analysis of reverse recovery characteristics of 4H-SiC p+–n−–n+ power diode with injection conditions |
| Auteur: |
Wei, Wensheng Li, Jing Zhao, Shaoyun |
| Verschenen in: |
Applied physics. Part A, Materials science and processing |
| Paginering: | Jaargang 118 (2014) nr. 4 pagina's 1387-1398 |
| Jaar: |
2014 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer Berlin Heidelberg, Berlin/Heidelberg |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 34 van 49 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |