|
A study of 2DEG properties in AlGaN/GaN heterostructure using GaN/AlN superlattice as barrier layers grown by MOCVD |
|
|
|
Titel: |
A study of 2DEG properties in AlGaN/GaN heterostructure using GaN/AlN superlattice as barrier layers grown by MOCVD |
Auteur: |
Chen, Fangsheng Chen, Hong Deng, Zhen Lu, Taiping Fang, Yutao Jiang, Yang Ma, Ziguang He, Miao |
Verschenen in: |
Applied physics. Part A, Materials science and processing |
Paginering: |
Jaargang 118 (2014) nr. 4 pagina's 1453-1457 |
Jaar: |
2014 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Springer Berlin Heidelberg, Berlin/Heidelberg |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|