|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 6 van 35 gevonden artikelen
| Titel: |
Electrical properties of ferroelectric-gate FETs with SrBi2Ta2O9 formed using MOCVD technique |
| Auteur: |
Yan, Kang Takahashi, Mitsue Sakai, Shigeki |
| Verschenen in: |
Applied physics. Part A, Materials science and processing |
| Paginering: | Jaargang 108 (2012) nr. 4 pagina's 835-842 |
| Jaar: |
2012 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer-Verlag, Berlin/Heidelberg |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 6 van 35 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |