|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 22 van 36 gevonden artikelen
| Titel: |
LaTiON/LaON as band-engineered charge-trapping layer for nonvolatile memory applications |
| Auteur: |
Huang, X. D. Lai, P. T. Sin, Johnny K. O. |
| Verschenen in: |
Applied physics. Part A, Materials science and processing |
| Paginering: | Jaargang 108 (2012) nr. 1 pagina's 229-234 |
| Jaar: |
2012 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer-Verlag, Berlin/Heidelberg |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 22 van 36 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |