|
Improved gate-control in InAs nanowire structures by the use of GdScO3 as a gate dielectric |
|
|
|
Titel: |
Improved gate-control in InAs nanowire structures by the use of GdScO3 as a gate dielectric |
Auteur: |
Volk, C. Schubert, J. Weis, K. Estévez Hernández, S. Akabori, M. Sladek, K. Hardtdegen, H. Schäpers, T. |
Verschenen in: |
Applied physics. Part A, Materials science and processing |
Paginering: |
Jaargang 100 (2010) nr. 1 pagina's 305-308 |
Jaar: |
2010 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Springer-Verlag, Berlin/Heidelberg |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|