|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 8 gevonden artikelen
| Titel: |
Influence of the Passivation Layers on the Self-Heating Effect in the Double Channel AlGaN/GaN MOS-HEMT Device |
| Auteur: |
Maryam Shaveisi, Peiman Aliparast, |
| Verschenen in: |
Russian microelectronics |
| Paginering: | Jaargang 52 () nr. 2 pagina's 112-118 |
| Jaar: |
2023-06-20 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Pleiades Publishing, Moscow |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 8 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |