|
| << vorige |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 11 van 11 gevonden artikelen
| Titel: |
The Analysis of the Polysilicon base Position of the Thermal Resistance and the Self Heating Effects of 0.13 µm SiGe Heterojunction Bipolar Transistors |
| Auteur: |
Abdelaaziz Boulgheb, Lakhdara, Maya Latreche, Saida |
| Verschenen in: |
Russian microelectronics |
| Paginering: | Jaargang 51 () nr. 3 pagina's 192-198 |
| Jaar: |
2022-06-07 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Pleiades Publishing, Moscow |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 11 van 11 gevonden artikelen
| << vorige |