|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 6 gevonden artikelen
| Titel: |
Kinetics of Reactive Ion Etching of Si, SiO2, and Si3N4 in C4F8 + O2 + Ar Plasma: Effect of the C4F8/O2 Mixing Ratio |
| Auteur: |
Efremov, A. M. Kwon, K.-H. |
| Verschenen in: |
Russian microelectronics |
| Paginering: | Jaargang 50 () nr. 2 pagina's 92-101 |
| Jaar: |
2021-04-12 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Pleiades Publishing, Moscow |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 6 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |