|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 7 van 10 gevonden artikelen
| Titel: |
Simulation of a Normally-off HEMT Transistor Based on a GaN/AlGaN with a p-Gate |
| Auteur: |
Egorkin, V. I. Zemlyakov, V. E. Kapaev, V. V. Kukhtyaeva, O. B. |
| Verschenen in: |
Russian microelectronics |
| Paginering: | Jaargang 49 () nr. 6 pagina's 445-451 |
| Jaar: |
2021-01-27 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Pleiades Publishing, Moscow |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 7 van 10 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |