|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 9 van 17 gevonden artikelen
| Titel: |
Influence of the Parameters of Schottky Barriers of AlGaN/GaN/SiC HEMT Transistors on the Phase Noise of Microwave Generators |
| Auteur: |
Gruzdov, V. V. Enisherlova, K. L. Kolkovsky, Y. V. Davydov, N. V. Kapilin, S. A. |
| Verschenen in: |
Russian microelectronics |
| Paginering: | Jaargang 47 (2018) nr. 7 pagina's 526-531 |
| Jaar: |
2018 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Pleiades Publishing, Moscow |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 9 van 17 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |