|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 15 van 17 gevonden artikelen
| Titel: |
Thermoelectric Model of the InGaN/GaN Light Emission Diode with Allowance for the Substrate Heterostructure Effect |
| Auteur: |
Sergeev, V. A. Hodakov, A. M. |
| Verschenen in: |
Russian microelectronics |
| Paginering: | Jaargang 47 (2018) nr. 7 pagina's 494-497 |
| Jaar: |
2018 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Pleiades Publishing, Moscow |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 15 van 17 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |