|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 4 van 9 gevonden artikelen
| Titel: |
Investigation into the diffusion of boron, phosphorus, and arsenic in silicon during annealing in a nonisothermal reactor |
| Auteur: |
Rudakov, V. I. Ovcharov, V. V. Lukichev, V. F. Denisenko, Yu. I. |
| Verschenen in: |
Russian microelectronics |
| Paginering: | Jaargang 43 (2014) nr. 4 pagina's 284-298 |
| Jaar: |
2014 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Pleiades Publishing, Moscow |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 4 van 9 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |