|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 2 van 8 gevonden artikelen
| Titel: |
Evaluation of the effective threshold energy of the Interband impact ionization in a deep-submicron silicon n-channel MOS transistor |
| Auteur: |
Borzdov, V. M. Borzdov, A. V. Speransky, D. S. V’yurkov, V. V. Orlikovsky, A. A. |
| Verschenen in: |
Russian microelectronics |
| Paginering: | Jaargang 43 (2014) nr. 3 pagina's 189-193 |
| Jaar: |
2014 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Pleiades Publishing, Moscow |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 2 van 8 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |