|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 8 van 9 gevonden artikelen
| Titel: |
The hydrogenic-electron model of accumulation of surface states on the oxide-semiconductor interface under the effects of ionizing radiation |
| Auteur: |
Sogoyan, A. V. Cherepko, S. V. Pershenkov, V. S. |
| Verschenen in: |
Russian microelectronics |
| Paginering: | Jaargang 43 (2014) nr. 2 pagina's 162-164 |
| Jaar: |
2014 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Pleiades Publishing, Moscow |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 8 van 9 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |