Digitale Bibliotheek
Sluiten Bladeren door artikelen uit een tijdschrift
 
<< vorige    volgende >>
     Tijdschrift beschrijving
       Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
         Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
           Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
                                       Details van artikel 4 van 16 gevonden artikelen
 
 
  Features of defect formation under the thermal treatment of dislocation-free single-crystal large-diameter silicon wafers with the specified distribution of oxygen-containing gettering centers in the bulk
 
 
Titel: Features of defect formation under the thermal treatment of dislocation-free single-crystal large-diameter silicon wafers with the specified distribution of oxygen-containing gettering centers in the bulk
Auteur: Vasilév, Yu. B.
Verezub, N. A.
Mezhennyi, M. V.
Prosolovich, V. S.
Prostomolotov, A. I.
Reznik, V. Ya.
Verschenen in: Russian microelectronics
Paginering: Jaargang 42 (2013) nr. 8 pagina's 467-476
Jaar: 2013
Inhoud:
Uitgever: Springer US, Boston
Bronbestand: Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften
 
 

                             Details van artikel 4 van 16 gevonden artikelen
 
<< vorige    volgende >>
 
 Koninklijke Bibliotheek - Nationale Bibliotheek van Nederland