|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 9 gevonden artikelen
| Titel: |
Formation of a submicron GaAs MESFET gate using a four-layer dielectric dummy gate |
| Auteur: |
Arykov, V. S. Gavrilova, A. M. Dedkova, O. A. Kagadei, V. A. Lilenko, Yu. V. |
| Verschenen in: |
Russian microelectronics |
| Paginering: | Jaargang 41 (2012) nr. 3 pagina's 162-168 |
| Jaar: |
2012 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
SP MAIK Nauka/Interperiodica, Dordrecht |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 9 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |