|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 7 van 8 gevonden artikelen
| Titel: |
Peculiarities of three-dimensional simulation of SOI MOS transistors with an indirect gate |
| Auteur: |
Glushko, A. A. Shakhnov, V. A. |
| Verschenen in: |
Russian microelectronics |
| Paginering: | Jaargang 41 (2012) nr. 2 pagina's 71-77 |
| Jaar: |
2012 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
SP MAIK Nauka/Interperiodica, Dordrecht |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 7 van 8 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |