|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 5 van 8 gevonden artikelen
| Titel: |
Influence of implantation of silicon and oxygen ions into a heteroepitaxial silicon layer on a sapphire substrate on the leakage currents of n-channel transistors of CMOS IC SOS technology |
| Auteur: |
Chistilin, A. A. Romanov, A. A. Moskovskaya, Yu. M. Ulanova, A. V. |
| Verschenen in: |
Russian microelectronics |
| Paginering: | Jaargang 40 (2011) nr. 3 pagina's 209-214 |
| Jaar: |
2011 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
SP MAIK Nauka/Interperiodica, Dordrecht |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 5 van 8 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |