|
| << vorige |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 8 van 8 gevonden artikelen
| Titel: |
The use of stressed silicon in MOS transistors and CMOS structures |
| Auteur: |
Neizvestnyi, I. G. Gridchin, V. A. |
| Verschenen in: |
Russian microelectronics |
| Paginering: | Jaargang 38 (2009) nr. 2 pagina's 71-86 |
| Jaar: |
2009 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
SP MAIK Nauka/Interperiodica, Dordrecht |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 8 van 8 gevonden artikelen
| << vorige |