|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 2 van 8 gevonden artikelen
| Titel: |
Electrical properties of InAs-SiO2-In2O3 MIS structures with a modified interface |
| Auteur: |
Valisheva, N. A. Guzev, A. A. Kovchavtsev, A. P. Kuryshev, G. L. Levtsova, T. A. Panova, Z. V. |
| Verschenen in: |
Russian microelectronics |
| Paginering: | Jaargang 38 (2009) nr. 2 pagina's 87-94 |
| Jaar: |
2009 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
SP MAIK Nauka/Interperiodica, Dordrecht |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 2 van 8 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |