|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 7 van 9 gevonden artikelen
| Titel: |
Progression of an excess-carrier pulse in Zn-compensated P-doped Si exposed to an electric field close to the recombination-wave threshold |
| Auteur: |
Kornilov, B. V. Privezentsev, V. V. |
| Verschenen in: |
Russian microelectronics |
| Paginering: | Jaargang 35 (2006) nr. 2 pagina's 87-93 |
| Jaar: |
2006 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Nauka/Interperiodica, Moscow |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 7 van 9 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |