|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 19 van 22 gevonden artikelen
| Titel: |
Stabilization of StructureImpurity and Electrophysical Parameters in the Si/SiO2 System |
| Auteur: |
N. Ya. Zaitsev G. Ya. Krasnikov I. V. Matyushkin |
| Verschenen in: |
Russian microelectronics |
| Paginering: | Jaargang 29 (2000) nr. 6 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2000-11/12-/12 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Kluwer Academic/Plenum Publishers, New York, U.S.A. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 19 van 22 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |