|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 36 gevonden artikelen
| Titel: |
A Theoretical Analysis of the Formation of Nonstoichiometric Point Defects in SiC Single Crystals Grown under Equilibrium Conditions at Different Partial Pressures of Silicon Vapor |
| Auteur: |
A. P. Garshin E. N. Mokhov V. E. ShvaikoShvaikovskii |
| Verschenen in: |
Refractories and industrial ceramics |
| Paginering: | Jaargang 44 (2003) nr. 4 pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2003-07/08-/08 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Kluwer Academic/Plenum Publishers, New York, U.S.A. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 36 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |