|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 10 van 25 gevonden artikelen
| Titel: |
Determination of interface state density of PtSi/strained-Si1-xGex/Si Schottky diodes |
| Auteur: |
Chattopadhyay, S. Bera, L. K. Maiti, C. K. Ray, S. K. Bose, P. K. Dentel, D. Kubler, L. Bischoff, J. L. |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 9 (1998) nr. 6 pagina's 403-407 |
| Jaar: |
1998 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Kluwer Academic Publishers, Boston |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 10 van 25 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |