|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 4 van 34 gevonden artikelen
| Titel: |
Charge transport mechanism and photovoltaic behaviour of undoped and I2 doped tris (1,10 phenanthroline) iron (II) complex (TPFe) thin film devices |
| Auteur: |
Sharma, G. D. Sangodkar, S. G. Gupta, S. K. Roy, M. S. |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 9 (1998) nr. 1 pagina's 9-15 |
| Jaar: |
1998 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Kluwer Academic Publishers, Boston |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 4 van 34 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |