|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 13 van 16 gevonden artikelen
| Titel: |
The dependence of GexSi1-x epitaxial growth on GeH4 flow using chemical vapour deposition |
| Auteur: |
JIN XIAOJUN LIANG JUNWU |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 8 (1997) nr. 6 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
1997 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Chapman and Hall |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 13 van 16 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |