|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 35 van 60 gevonden artikelen
| Titel: |
Interfacial and electrical characterizations of PEALD-grown AlN/4H-SiC MOS structure: a type-I heterojunction for enhanced blocking performance |
| Auteur: |
Guo, Yun-Duo Wang, An-Feng Huang, Qi-Min Wang, Zhen-Yu Ma, Hong-Ping Zhang, Qing-Chun |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 36 () nr. 3 pagina's xx |
| Jaar: |
2025-01-25 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 35 van 60 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |