|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 2 van 40 gevonden artikelen
| Titel: |
Application of high-k gate dielectric multilayer Al2O3/TiO2/Al2O3 anodized film in IGZO thin-film transistors |
| Auteur: |
Xiao, Ni Zhang, Haojun Chen, Jianwen Tan, Haixing Liu, Si Zhu, Wenbo Wang, Xiucai Yu, Xinmei Xiao, Peng Chen, Deping Huang, Yu |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 36 () nr. 23 pagina's xx |
| Jaar: |
2025-08-11 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 2 van 40 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |