|
Development of p-type topcon based on low-temperature PECVD process |
|
|
|
Titel: |
Development of p-type topcon based on low-temperature PECVD process |
Auteur: |
Li, Yongyao Jia, Rui Chang, Huifeng Guo, Chunlin Tao, Jialing Chen, Jiawang Li, Xing Chen, Deshuang Ren, Yong Song, Feifei Ouyang, Xiaoping |
Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
Paginering: |
Jaargang 36 () nr. 20 pagina's xx |
Jaar: |
2025-07-11 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Springer US, New York |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|