|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 2 van 92 gevonden artikelen
| Titel: |
A novel approach to Si0.5Ge0.5 channel FinFET fabrication: utilizing a three-layer SiGe strain relaxation buffer and In-Situ phosphorus doping |
| Auteur: |
Li, Yan Luo, Huaizhi Chen, Anlan Mao, Xiaotong Zhao, Fei Luo, Jun Li, Yongliang |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 35 () nr. 6 pagina's xx |
| Jaar: |
2024-02-22 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 2 van 92 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |