|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 16 van 63 gevonden artikelen
| Titel: |
Effects of implementing dual-step nitrogen ambient for growth and post-deposition annealing of Ga2O3 films sputtered on silicon |
| Auteur: |
Mohammed, Alghareeb Abbas Abdulhussein Lim, Way Foong |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 35 () nr. 26 pagina's xx |
| Jaar: |
2024-09-20 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 16 van 63 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |