|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 16 van 46 gevonden artikelen
| Titel: |
Exploration on the impact of barrier thickness, gate recess, and lateral scaling on AlGaN/GaN SRL HEMT on silicon for future RF power electronics |
| Auteur: |
Akshaykranth, A. Ajayan, J. Bhattacharya, Sandip Mounika, B. |
| Verschenen in: |
Journal of materials science. Materials in electronics |
| Paginering: | Jaargang 35 () nr. 15 pagina's xx |
| Jaar: |
2024-05-25 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Springer US, New York |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 16 van 46 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |